GaAs エピタキシャル基板 (GaAs Based Epi Wafer)
| 2インチから6インチまでのGaAs基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。 エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にGaAsエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています。 |
製品 | 適用 | 波長範囲 | 標準仕様 | 対応サイズ |
GaAs Based | 赤外線LD | 808nm, 980nm and others in 800~1064nm | 2/3/4/6 Inch | |
垂直共振器面発光レーザ(VCSEL) | 650nm, 850nm, 850~1100nm | 3/4/6 Inch. | ||
フォトディテクター(PD) | <870nm (GaAs吸収層) | お問い合わせ | ||
◉ お客様の求めるご要求に合わせた、 GaAsエピタキシャル基板の構造に対応します。