InP エピタキシャル基板 (InP Based Epi-wafer)

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2インチから4インチまでのInP基板にカスタム構造のMOCVDエピタキシャル成長を提供しています。

エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など企業、大学、科学研究機関にInPエピタキシャル基板の全面的なサービスを提供しています。


製品

適用

波長範囲

標準仕様

対応サイズ

InP Based
Epi-wafer

FP レーザー

~1310nm; ~1550nm;~1900nm

1310nm 2.5G
1310nm 10G
1550nm

2/3/4 Inch

DFB レーザー

1270~1630nm

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アバランシェフォトディテクター(APD)

1250~1600nm

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フォトディテクター(PD)

1250nm~1600nm
>2.0um (InGaAS吸収層);
<1.4μm (InGaAsP吸収層)

お問い合わせ

◉ お客様の求めるご要求に合わせた、 InPエピタキシャル基板の構造に対応します。



 
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