LEDを生産するのに使われては核心素材でサファイア インゴットを切断して、サファイア ウェハーで加工、LED生産に使います。高純度アルミナ(Al2O3)を2100℃高熱で加熱して結晶を形成させれば、数十キログラムのサファイア塊りが作られる,これがサファイアインゴットです。
サファイア(Sapphire)は強度が非常に高くて化学的安定性が優秀な素材で、LED基板の他にもミサイルドーム(Missile Dome),宇宙船窓（ウィンドウ）、プロジェクター、放熱版、時計グラス、等で使われています。
弊社はキロプロス（A軸成長）の製造方式のサファイアINGOT / Wafer を提供します。
サファイア生産工場
サファイア単結晶のユニットセル図 | 物理的性質 | 電気的特性 | ||
結晶系 | a= 4.763Å | 電気抵抗 | 1x1014Ω・m(常温） | |
c= 13.003Å | 1x1011Ω・m(500℃） | |||
密度 | 3.97x103 kg/㎥ | 誘電率 | 11.5(//C軸） | |
引張強度 | 2250Mpa | 9.3(⊥C軸） | ||
| 熱的性質 | 共に(1011～1011㎐,25℃ | |||
熱膨張係数 | 5.3x10-6/k(//C軸） | 絶緑耐力 | 48x103KV/m(60㎐,） | |
4.5x10-6/k(⊥C軸） | 光学的性質 | |||
熱伝導率 | 42 W/m・K(常温） | 屈折率 | No = 1.768 | |
比熱 | 0.75 KJ/kg・K(常温） | Ne = 1.760 | ||
サファイアインゴット(SAPPHIRE INGOT)
項目 | Spec |
| |||
サイズ | 2inch | 3inch | 4inch | 6inch | 8inch |
直径 | 50.8±0.1mm | 76.2±0.1mm | 100.5±0.1mm | 150.2±0.1mm | 200.2±0.1mm |
方位 | C-面(0001）±0.1° | ||||
オリフラ | A-面(11-20）±0.2° | ||||
オリフラ長さ | 16.0±1.0mm | 22.0±1.0mm | 32.5±2.0mm | 25±1.0mm | - |
EPD | ≦1000 pcs/㎠ | ||||
X-ray rocking curve | ≦14 arcsec | ||||
*上記以外の仕様は別途お問合せ下さい
サファイアウェハー(SAPPHIRE WAFER)
項目 | Spec | |||
サイズ | 2inch | 3inch | 4inch | 6inch |
直径 | 50.8±0.25mm | 76.2±0.1mm | 100±0.1mm | 150±0.2mm |
厚さ | 430±10μm | 500±20μm | 650±20μm | 1300±20μm |
方位 | C-面(0001）off 0.20±0.05° | |||
オリフラ | A-面(11-20）±0.2° | |||
オリフラ長さ | 16.0±1.0mm | 22.0±1.0mm | 32.5±2.0mm | 25±1.0mm |
TTV(GBIR)： | ≦3μm | ≦5μm | ≦5μm | ≦5μm |
LTV | ≦2μm | ≦2μm | ≦2μm | ≦3μm |
Bow | ≦10μm | |||
表面仕上げ | Epi-ready, Ra≦0.2 nm | |||
裏面仕上げ | ラッピング、Ra≦1.2 μm | |||
*上記以外の仕様は別途お問合せ下さい