Silicon Ingotとは太陽電池の原材料であるポリシリコンを溶かして円柱・直四角刑で凝固させた
高純度シリコンの結晶です。
インゴットを成長させる方法、ポリシリコンの純度等によって単結晶、多結晶インゴットで区分されます。
| -サイズ: ⏀2~⏀18 |
-サイズ:□156mm |
Standard Specifications (Mono Wafer) | |||
Growth method | CZ | ||
Crystallinity | Mono Crystalline | ||
Conductive Type | P-Type | N-Type | |
Dopant | Boron(B) | Phosphorus | |
Resistivity(ρ) | 0.5-1.5Ω・cm | 1-7Ω・cm | |
Oxygen Content(Oi) | ≤8E+17 at/cm3 | ||
Carbon Content(C) | ≤5E+16 at/cm3 | ||
Size | 156.75*156.75±0.25 mm | ||
Thickness | 180 +20 μm/-10 μm |
Standard Specifications (Poly Wafer) | ||
Crystallinity | Poly Crystalline | |
Conductive Type | P-Type | |
Dopant | Boron(B) | |
Resistivity(ρ) | 1-3Ω・cm | |
Oxygen Content(Oi) | ≤4.5 x 10 17 at/cm3 | |
Carbon Content(C) | ≤6.65 x 10 17 at/cm3 | |
Size | 156.75*156.75±0.25 mm | |
Thickness | 180 +20 μm/-10 μm |