HUAXING OPTOは2016年設立以来、専門知識に基づく化合物半導体エピタキシャル基板の生産・研究開発などを行ています。
中国科学院半導体研究所、清華大学、米国バ-ジニア大学等国内外の有名な研究機関と長期技術協力を展開し、
化合物半導体エピタキシャル基板の研究開発、製造を供給しています。
HUAXING OPTO は2インチから6インチのGaAs基板、2インチから4インチのInP基板にカスタム構造の MOCVDエピタキシャル成長を提供しています。
標準製品の他、優れたMOCVDの経験により、お客のさまざまなニーズに対応しています。
エピタキシャル構造設計、エピタキシャル材料、テスト分析など 企業、大学、研究機関に半導体光エピタキシャルの全面的なサービスを提供しています。
お客様の求めるご要求に合わせた、エピタキシャル基板の構造に対応します。
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